مشخصات فناوری FCH043N60
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FCH043N60 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FCH043N60
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247-3 | |
| سلسله | SuperFET® II | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 43mOhm @ 38A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 592W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 12225 pF @ 400 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 215 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FCH043N60 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FCH043N60 | FCH041N65EFL4 | FCH067N65S3-F155 | FCH060N80-F155 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 75A (Tc) | 76A (Tc) | 44A (Tc) | 56A (Tc) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | 5V @ 7.6mA | 4.5V @ 4.4mA | 4.5V @ 5.8mA |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Bulk |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 43mOhm @ 38A, 10V | 41mOhm @ 38A, 10V | 67mOhm @ 22A, 10V | 60mOhm @ 29A, 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 12225 pF @ 400 V | 12560 pF @ 100 V | 3090 pF @ 400 V | 14685 pF @ 100 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 592W (Tc) | 595W (Tc) | 312W (Tc) | 500W (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسله | SuperFET® II | FRFET®, SuperFET® II | SuperFET® III | SuperFET® II |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 215 nC @ 10 V | 298 nC @ 10 V | 78 nC @ 10 V | 350 nC @ 10 V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 650 V | 650 V | 800 V |
FCH05A10NIECFCH06A09NIECFCH041N65EFL4onsemiMOSFET N-CH 650V 76A TO247FCH067N65S3-F155onsemiMOSFET N-CH 650V 44A TO247FCH06A10NIECFCH060N80-F155Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 800V 56A TO247FCH041N65EFFairchild SemiconductorN-CHANNEL, MOSFETFCH041N65FFairchild SemiconductorN-CHANNEL, MOSFETFCH043N60onsemiMOSFET N-CH 600V 75A TO247-3FCH067N65S3-F155Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCH041N65F-F155onsemiMOSFET N-CH 650V 76A TO247FCH060N80-F155onsemiMOSFET N-CH 800V 56A TO247FCH041N65EFL4Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFCH041N65SFFairchild (onsemi)FCH067N65S3ON-BRIGHTFCH041N65SF MOSFairchild (onsemi)FCH041N65EF-F155FairchildFCH041N65EFLN4onsemiMOSFET N-CH 650V 76A TO247-4| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.