مشخصات فناوری BS170-D26Z
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - BS170-D26Z ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - BS170-D26Z
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-92-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5Ohm @ 200mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 830mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Bulk | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 40 pF @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor BS170-D26Z دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | BS170-D26Z | BS170RLRAG | BS170-D75Z | BS170G |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi | onsemi |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 1mA | 3V @ 1mA | 3V @ 1mA | 3V @ 1mA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 40 pF @ 10 V | 60 pF @ 10 V | 40 pF @ 10 V | 60 pF @ 10 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-92-3 | TO-92 (TO-226) | TO-92-3 | TO-92 (TO-226) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5Ohm @ 200mA, 10V | 5Ohm @ 200mA, 10V | 5Ohm @ 200mA, 10V | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tube |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 500mA (Ta) | 500mA (Ta) | 500mA (Ta) | 500mA (Ta) |
| بسته بندی / مورد | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 830mW (Ta) | 350mW (Ta) | 830mW (Ta) | 350mW (Ta) |
| سلسله | - | - | - | - |
BS108 MOSAMI Semiconductor/onsemi
BS170PSTZDiodes IncorporatedBS170RLRAGonsemiMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
BS170KLElectro-Films (EFI) / VishayBS170-D75ZonsemiMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3BS15.021SCHMIDTBS170GonsemiMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
BS120E0FSharp MicroelectronicsSENSOR PHOTODIODE 560NM SIDEBS170D26ZFSCBS107RL1AMI Semiconductor/onsemi
BS170 MOSFairchild (onsemi)BS170-D26ZonsemiMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3BS1100N-A1BENCENTBS108ZL1G MOSAMI Semiconductor/onsemi
BS170PDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3BS108ZL1GonsemiMOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
BS170FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3BS170FTA MOSDiodes Incorporated| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.