مشخصات فناوری 1N5822
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - 1N5822 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - 1N5822
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 525 mV @ 3 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 40 V | |
| تکنولوژی | Schottky | |
| کننده بسته بندی دستگاه | Axial | |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | DO-201AA, DO-27, Axial | |
| بسته بندی کردن | Bulk | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 125°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 2 mA @ 40 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 3A | |
| خازن @ VR، F | - |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor 1N5822 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 1N5822 | 1N5822 | 1N5821RL | 1N5822 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | Yangjie Technology | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 125°C | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| خازن @ VR، F | - | 200pF @ 4V, 1MHz | - | - |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 40 V | 40 V | 30 V | 40 V |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 2 mA @ 40 V | 100 µA @ 40 V | 2 mA @ 30 V | 2 mA @ 40 V |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 525 mV @ 3 A | 525 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A | 525 mV @ 3 A |
| سلسله | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | Axial | DO-201AD | DO-201AD | DO-201AD |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| تکنولوژی | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Box (TB) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| بسته بندی / مورد | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
1N5822 SMATOS1N5822Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5821RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5822STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822onsemiDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5822 A0Taiwan Semiconductor
1N5822 K34TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5822 SS34TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822(1.0MM)MIC
1N5822Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
1N5821RLonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL1N5822(TE85L)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5821RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL1N5822(SS34)TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora1N5822Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 40V 3A
1N5822Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL1N5822 SS24TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.