مشخصات فناوری ZXMN3A06DN8TA
مشخصات فنی Diodes Incorporated - ZXMN3A06DN8TA ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Diodes Incorporated - ZXMN3A06DN8TA
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Diodes Incorporated | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA (Min) | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 35mOhm @ 9A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 1.8W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 796pF @ 25V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17.5nC @ 10V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.9A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | ZXMN3 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8TA دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | ZXMN3A06DN8TA | ZXMN3AM832TA | ZXMN3A04DN8TA | ZXMN3A06DN8TC |
| سازنده | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| سلسله | - | * | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 35mOhm @ 9A, 10V | - | 20mOhm @ 12.6A, 10V | 35mOhm @ 9A, 10V |
| قدرت - حداکثر | 1.8W | - | 1.81W | 1.8W |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | - | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| شماره محصول پایه | ZXMN3 | ZXMN3 | ZXMN3 | ZXMN3 |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | - | 30V | 30V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.9A | - | 6.5A | 4.9A |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 796pF @ 25V | - | 1890pF @ 15V | 796pF @ 25V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17.5nC @ 10V | - | 36.8nC @ 10V | 17.5nC @ 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA (Min) | - | 1V @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA (Min) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | - | 8-SO | 8-SO |
بارگیری داده های ZXMN3A06DN8TA PDF و مستندات Diodes Incorporated را برای ZXMN3A06DN8TA - Diodes Incorporated بارگیری کنید.
ZXMN3A04DN8TA MOSDiodes IncorporatedZXMN3AM832TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLPZXMN3A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
ZXMN3A14FQTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3ZXMN3A06DN8TA MOSZETEXZXMN3A06DN8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOICZXMN3A06DN8VBSEMIZXMN3A04DN8Diodes IncorporatedZXMN3A04KDiodes IncorporatedZXMN3A04ZETEXZXMN3A14FTCVBSEMIZXMN3A14FDiodes IncorporatedZXMN3A04DN8TCDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOICZXMN3A06DDiodes IncorporatedZXMN3A14FTA MOSDiodes Incorporated
ZXMN3A04KTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 18.4A DPAKZXMN3B01FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3ZXMN3A14FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.