مشخصات فناوری ZXMN2A04DN8TC
مشخصات فنی Diodes Incorporated - ZXMN2A04DN8TC ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Diodes Incorporated - ZXMN2A04DN8TC
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Diodes Incorporated | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 700mV @ 250µA (Min) | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 25mOhm @ 5.9A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 1.8W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1880pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 22.1nC @ 5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 5.9A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | ZXMN2 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | ZXMN2A04DN8TC | ZXMN2A04DN8TA | ZXMN2B14FH | ZXMN2A14FTA |
| سازنده | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| سلسله | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 700mV @ 250µA (Min) | 700mV @ 250µA (Min) | - | 700mV @ 250µA (Min) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1880pF @ 10V | 1880pF @ 10V | - | 544 pF @ 10 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 22.1nC @ 5V | 22.1nC @ 5V | - | 6.6 nC @ 4.5 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 25mOhm @ 5.9A, 4.5V | 25mOhm @ 5.9A, 4.5V | - | 60mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| قدرت - حداکثر | 1.8W | 1.8W | - | - |
| شماره محصول پایه | ZXMN2 | ZXMN2 | - | ZXMN2 |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 5.9A | 5.9A | - | 3.4A (Ta) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | - | SOT-23-3 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | 20V | - | 20 V |
بارگیری داده های ZXMN2A04DN8TC PDF و مستندات Diodes Incorporated را برای ZXMN2A04DN8TC - Diodes Incorporated بارگیری کنید.
ZXMN2B14FHDiodes IncorporatedZXMN2A14FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3ZXMN2A02X8TCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOPZXMN2A03ZETEXZXMN2A02N8TADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
ZXMN2A03E6TADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6ZXMN2B03E6TA MOSDiodes IncorporatedZXMN2B01FTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3ZXMN2B01FTA MOSZETEXZXMN2A01FTA MOSZETEXZXMN2A02X8TADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 6.2A 8MSOPZXMN2B03E6TADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6ZXMN2A01FTCDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3ZXMN2A14FTA MOSZETEX
ZXMN2AM832TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLPZXMN2A02N8ZETEX/DIODESZXMN2B14FHTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3ZXMN2A04DN8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8-SOIC| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.