مشخصات فناوری VN10LP
مشخصات فنی Diodes Incorporated - VN10LP ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Diodes Incorporated - VN10LP
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Diodes Incorporated | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-92 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5Ohm @ 500mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 625mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 60 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 270mA (Ta) | |
| شماره محصول پایه | VN10 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Diodes Incorporated VN10LP دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | VN10LP | VN10LM | VN10LFTA | VN10KN3-G-P002 |
| سازنده | Diodes Incorporated | Motorola | Diodes Incorporated | Microchip Technology |
| شماره محصول پایه | VN10 | - | VN10 | VN10KN3 |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | - | 2.5V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| بسته بندی / مورد | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | - | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-92 | - | SOT-23-3 | TO-92-3 |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | ±20V | ±30V |
| سلسله | - | * | - | - |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5Ohm @ 500mA, 10V | - | 5Ohm @ 500mA, 10V | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 5V, 10V | - | 5V, 10V | 5V, 10V |
| نوع FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 625mW (Ta) | - | 330mW (Ta) | 1W (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | - | Surface Mount | Through Hole |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 270mA (Ta) | - | 150mA (Ta) | 310mA (Tj) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | - | 60 V | 60 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 60 pF @ 25 V | - | 60 pF @ 25 V | 60 pF @ 25 V |
بارگیری داده های VN10LP PDF و مستندات Diodes Incorporated را برای VN10LP - Diodes Incorporated بارگیری کنید.
VN1160-1-ESTMicroelectronicsVN10LMMotorolaSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
VN1160C-ESTMicroelectronicsIC OFFLINE SWITCH DPAKVN10LFTADiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3VN1160-ESTMicroelectronicsIC OFFLINE SWITCH DPAK
VN10LLSElectro-Films (EFI) / VishayVN10KN3-G-P002Microchip TechnologyMOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3VN1160STMicroelectronicsIC OFFLINE SWITCH DPAKVN1160C-1-ESTMicroelectronicsVN1160-1STMicroelectronicsIC OFFLINE SWITCH IPAKVN10KT-T1-E3Electro-Films (EFI) / Vishay
VN10LFTA MOSDiodes IncorporatedVN10KT-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishayVN10LFVBSEMIVN10LPSTZDiodes IncorporatedMOSFET VMOS N-CHAN TO92-3VN10LESILICONIXVN10LP MOSDiodes IncorporatedVN10LPSTZ MOSZETEX/DIODES| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.