مشخصات فناوری RS1DB-13-F
مشخصات فنی Diodes Incorporated - RS1DB-13-F ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Diodes Incorporated - RS1DB-13-F
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Diodes Incorporated | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.3 V @ 1 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 200 V | |
| تکنولوژی | Standard | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SMB | |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 150 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | DO-214AA, SMB | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 5 µA @ 200 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 1A | |
| خازن @ VR، F | 15pF @ 4V, 1MHz | |
| شماره محصول پایه | RS1D |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Diodes Incorporated RS1DB-13-F دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | RS1DB-13-F | RS1DHE3/61T | RS1DB-13 | RS1D-M3/61T |
| سازنده | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| شماره محصول پایه | RS1D | RS1 | RS1D | RS1D |
| سلسله | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A | 1.3 V @ 1 A |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | SMB | DO-214AC (SMA) | SMB | DO-214AC (SMA) |
| بسته بندی / مورد | DO-214AA, SMB | DO-214AC, SMA | DO-214AA, SMB | DO-214AC, SMA |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V | 5 µA @ 200 V |
| خازن @ VR، F | 15pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 150 ns | 150 ns | 150 ns | 150 ns |
| سرعت | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تکنولوژی | Standard | Standard | Standard | Standard |
بارگیری داده های RS1DB-13-F PDF و مستندات Diodes Incorporated را برای RS1DB-13-F - Diodes Incorporated بارگیری کنید.
RS1DHE3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
RS1E130GNFU7TBLAPIS Technology
RS1D R2GTaiwan SemiconductorRS1DB-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMB
RS1DWG_R1_00001-PECPANJITRS1E150GNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 15A 8HSOPRS1E170GNROHNRS1D-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
RS1D/11TElectro-Films (EFI) / VishayRS1D-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACRS1D-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 200V 1A SMARS1E130GNTBRohm SemiconductorMOSFET N-CH 30V 13A 8HSOPRS1D-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACRS1D R2Taiwan SemiconductorRS1DWG_R1PANJITRS1E150GNLAPIS Technology
RS1BL RVGTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMARS1E130GNFMMTBLAPIS Technology| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.