مشخصات فناوری 2N7002TA
مشخصات فنی Diodes Incorporated - 2N7002TA ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Diodes Incorporated - 2N7002TA
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Diodes Incorporated | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 330mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 50 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 115mA (Ta) | |
| شماره محصول پایه | 2N7002 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Diodes Incorporated 2N7002TA دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 2N7002TA | 2N7002T-7-G | 2N7002T | 2N7002TQ-7-F |
| سازنده | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | onsemi | Diodes Incorporated |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | - | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | - | 60 V | 60 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 330mW (Ta) | - | 200mW (Ta) | 150mW (Ta) |
| نوع FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 115mA (Ta) | - | 115mA (Ta) | 115mA (Ta) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 5V, 10V | - | 5V, 10V | 5V, 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 50 pF @ 25 V | - | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 25 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| سلسله | - | * | - | Automotive, AEC-Q101 |
| شماره محصول پایه | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 7.5Ohm @ 500mA, 10V | - | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | 13.5Ohm @ 500mA, 10V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | - | SC-89, SOT-490 | SOT-523 |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-23-3 | - | SC-89-3 | SOT-523 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بارگیری داده های 2N7002TA PDF و مستندات Diodes Incorporated را برای 2N7002TA - Diodes Incorporated بارگیری کنید.
2N7002T-7-GDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V SOT523
2N7002V-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-5632N7002TonsemiMOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
2N7002TRCentral Technologies2N7002T1SILICONIX2N7002TGPRICH-POWER
2N7002TKX-7Diodes Incorporated2N7002T-FDiodes Incorporated2N7002T K72CJ2N7002T-NLVBSEMI2N7002T(702z)2N7002TQ-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 115MA SOT5232N7002TAX-13Diodes Incorporated2N7002T-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
2N7002VFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI2N7002T/RPANJIT
2N7002VAonsemiMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F2N7002VonsemiMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.