مشخصات فناوری 2N7002DWS-7
مشخصات فنی Diodes Incorporated - 2N7002DWS-7 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Diodes Incorporated - 2N7002DWS-7
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Diodes Incorporated | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-363 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 4Ohm @ 500mA, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 290mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 41pF @ 25V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 0.4nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 247mA (Ta) | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | 2N7002 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Diodes Incorporated 2N7002DWS-7 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 2N7002DWS-7 | 2N7002DWAQ-7 | 2N7002DWH6327XTSA1 | 2N7002DWKX-7 |
| سازنده | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | Diodes Incorporated |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | - | 2 N-Channel (Dual) | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 0.4nC @ 4.5V | 0.87nC @ 10V | 0.6nC @ 10V | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60V | 60V | 60V | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-363 | SOT-363 | PG-SOT363-PO | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 41pF @ 25V | 22pF @ 25V | 20pF @ 25V | - |
| سلسله | - | - | OptiMOS™ | * |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 247mA (Ta) | 180mA (Ta) | 300mA | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| قدرت - حداکثر | 290mW (Ta) | 300mW | 500mW | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 4Ohm @ 500mA, 10V | 6Ohm @ 115mA, 10V | 3Ohm @ 500mA, 10V | - |
| FET ویژگی | - | Standard | Logic Level Gate | - |
| شماره محصول پایه | 2N7002 | - | 2N7002 | 2N7002 |
| بسته بندی / مورد | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | - |
بارگیری داده های 2N7002DWS-7 PDF و مستندات Diodes Incorporated را برای 2N7002DWS-7 - Diodes Incorporated بارگیری کنید.
2N7002E-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
2N7002DW1T1GMSV2N7002E-7Diodes Incorporated
2N7002EPanasonic Electronic ComponentsMOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-32N7002E MOSYESSHIN2N7002EANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDN-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT2N7002DWAQ-7Diodes Incorporated2N7002 FAMILY SOT363 T&R 3K2N7002EVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-32N7002DWH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
2N7002DWT1GAMI Semiconductor/onsemi
2N7002DW-TMicro Commercial Components (MCC)2N7002DWHJIT2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V SOT-3632N7002E T/RPANJIT2N7002DWT/RPANJIT2N7002DWA-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT3632N7002DWKXDiodes Incorporated2N7002DWH6327Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.