مشخصات فناوری SPI11N60S5
مشخصات فنی Infineon Technologies - SPI11N60S5 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - SPI11N60S5
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 500µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO262-3-1 | |
| سلسله | CoolMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 380mOhm @ 7A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 125W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1460 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 54 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies SPI11N60S5 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SPI11N60S5 | SPI15N60CFD | SPI08N50C3 | SPI15N60C3 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 500µA | 5V @ 750µA | 3.9V @ 350µA | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 380mOhm @ 7A, 10V | 330mOhm @ 9.4A, 10V | 600mOhm @ 4.6A, 10V | - |
| سلسله | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | * |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 125W (Tc) | 156W (Tc) | 83W (Tc) | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 54 nC @ 10 V | 84 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1460 pF @ 25 V | 1820 pF @ 25 V | 750 pF @ 25 V | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 600 V | 560 V | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 11A (Tc) | 13.4A (Tc) | 7.6A (Tc) | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| بسته بندی / مورد | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | - |
SPI11N60C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI11N60CFDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI127QRL-330JACKPHONESPI15N60CFDInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI08N50C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI15N60C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI11N60C2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI08N80C3Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 800V 8A TO262-3SPI130-35-1R0TODAISUSPI07N60S5Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI12N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI127QR-150SPI11N65C3INFSPI127QR-150MSPI07N65C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI1205B-R68MAETRONICSPI1004A-R40M-SNETRONICSPI1055WCC-270| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.