مشخصات فناوری SPA08N80C3XKSA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - SPA08N80C3XKSA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - SPA08N80C3XKSA1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.9V @ 470µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-3-31 | |
| سلسله | CoolMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 650mOhm @ 5.1A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 40W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1100 pF @ 100 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 800 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | SPA08N80 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies SPA08N80C3XKSA1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SPA08N80C3XKSA1 | SPA07N60C2 | SPA11N60C3 | SPA08N50C3 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1100 pF @ 100 V | 970 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 750 pF @ 25 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسله | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-3-31 | PG-TO220-3-31 | PG-TO220-3-111 | PG-TO220-3-111 |
| شماره محصول پایه | SPA08N80 | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 800 V | 600 V | 600 V | 560 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 650mOhm @ 5.1A, 10V | 600mOhm @ 4.6A, 10V | 380mOhm @ 7A, 10V | 600mOhm @ 4.6A, 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 40W (Tc) | 32W (Tc) | 33W (Tc) | 32W (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.9V @ 470µA | 5.5V @ 350µA | 3.9V @ 500µA | 3.9V @ 350µA |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8A (Tc) | 7.3A (Tc) | 11A (Tc) | 7.6A (Tc) |
بارگیری داده های SPA08N80C3XKSA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای SPA08N80C3XKSA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
SPA07N65C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleSPA09N65C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPA07N60C2Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPA08N80C3 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SPA090FSPSEMISPA100N10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPA07N60CFDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleSPA11N60C3Infineon TechnologiesPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1SPA07N60C3INFSPA11N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPA11N60C3 11N60C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPA1118ZSIRENZASPA11N60C3 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPA07N60C3 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPA08N50C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPA08N80C3Infineon TechnologiesSPA08N80 - 800V COOLMOS N-CHANNESPA08N80C3 08N80C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
SPA110102RFMD| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.