مشخصات فناوری SDT08S60
مشخصات فنی Infineon Technologies - SDT08S60 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - SDT08S60
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.7 V @ 8 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600 V | |
| تکنولوژی | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-2-2 | |
| سرعت | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسله | CoolSiC™+ | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 0 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | |
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 175°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 300 µA @ 600 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 8A | |
| خازن @ VR، F | 280pF @ 0V, 1MHz | |
| شماره محصول پایه | SDT08S |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies SDT08S60 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SDT08S60 | SDT06S60 | SDT04S60 | SDT05H |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | AUK |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600 V | 600 V | 600 V | - |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 300 µA @ 600 V | 200 µA @ 600 V | 200 µA @ 600 V | - |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2-2 | - |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.7 V @ 8 A | 1.7 V @ 6 A | 1.9 V @ 4 A | - |
| سلسله | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | - |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | - |
| شماره محصول پایه | SDT08S | SDT06S | SDT04S | - |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | - |
| خازن @ VR، F | 280pF @ 0V, 1MHz | 300pF @ 0V, 1MHz | 150pF @ 0V, 1MHz | - |
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | - |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 8A | 6A | 4A | - |
| سرعت | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - |
| تکنولوژی | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - |
بارگیری داده های SDT08S60 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای SDT08S60 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
SDT05HAUKSDT100GK12SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT06S60Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 6A TO220-2-2SDT05SFAUK
SDT10A100CDiodes IncorporatedSDT10100CTFPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTT 100V TO220ABSDT0804T-151M-NChilisin ElectronicsSDT05JAUKSDT100GK16SIRECTIFIERIGBT Module
SDT10100CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOT 100V TO220ABSDT04S60Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 4A TO220-2-2SDT0502-220MNPSDT03N04 MOSSAMHOPSDT100GK14SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT100GK08SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT05SAUKSDT100GK20SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT100GK18SIRECTIFIERIGBT Module| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.