مشخصات فناوری IRLR6225PBF
مشخصات فنی International Rectifier - IRLR6225PBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه International Rectifier - IRLR6225PBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.1V @ 50µA | |
| VGS (حداکثر) | ±12V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 4mOhm @ 21A, 4.5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 63W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Bulk | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3770 pF @ 10 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 72 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با International Rectifier IRLR6225PBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRLR6225PBF | IRLR6225TRPBF | IRLR4343TRPBF | IRLR7807ZCPBF |
| سازنده | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3770 pF @ 10 V | 3770 pF @ 10 V | 740 pF @ 50 V | 780 pF @ 15 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.1V @ 50µA | 1.1V @ 50µA | 1V @ 250µA | 2.25V @ 250µA |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 72 nC @ 4.5 V | 72 nC @ 4.5 V | 42 nC @ 10 V | 11 nC @ 4.5 V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 26A (Tc) | 43A (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20 V | 20 V | 55 V | 30 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 63W (Tc) | 63W (Tc) | 79W (Tc) | 40W (Tc) |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252AA | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 4mOhm @ 21A, 4.5V | 4mOhm @ 21A, 4.5V | 50mOhm @ 4.7A, 10V | 13.8mOhm @ 15A, 10V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| VGS (حداکثر) | ±12V | ±12V | ±20V | ±20V |
IRLR6225TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 100A DPAKIRLR4343TRPBF.IRIRLR4343TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 26A DPAKIRLR7801ZIRIRLR7807ZCPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 43A DPAKIRLR6225PBF MOSIRIRLR4343TRLPBFIRIRLR7807IRIRLR7807ZIRIRLR7807Z MOSIRIRLR4343Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 26A DPAKIRLR4343PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 26A DPAKIRLR6225TRPBF.IR
IRLR3915TRPBFIPD144N06NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRLR6225IR/VISHAYIRLR4343TRLPBF MOSIRIRLR6225TRPBF MOSIRIRLR4132TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 160A DPAK| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.