مشخصات فناوری IRLML0100TRPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRLML0100TRPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRLML0100TRPBF
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 25µA | |
VGS (حداکثر) | ±16V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | Micro3™/SOT-23 | |
سلسله | HEXFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 220mOhm @ 1.6A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.3W (Ta) | |
بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 290 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.5 nC @ 4.5 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) | |
شماره محصول پایه | IRLML0100 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRLML0100TRPBF دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IRLML0100TRPBF | IRLML0060TRPBF | IRLML2060TRPBF | IRLML2030TRPBF |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
شماره محصول پایه | IRLML0100 | IRLML0060 | IRLML2060 | IRLML2030 |
بسته بندی / مورد | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.3W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.3W (Ta) |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 25µA | 2.5V @ 25µA | 2.5V @ 25µA | 2.3V @ 25µA |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 2.5 nC @ 4.5 V | 2.5 nC @ 4.5 V | 0.67 nC @ 4.5 V | 1 nC @ 4.5 V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 60 V | 60 V | 30 V |
سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
FET ویژگی | - | - | - | - |
VGS (حداکثر) | ±16V | ±16V | ±16V | ±20V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 290 pF @ 25 V | 290 pF @ 25 V | 64 pF @ 25 V | 110 pF @ 15 V |
کننده بسته بندی دستگاه | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 | Micro3™/SOT-23 |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) | 2.7A (Ta) | 1.2A (Ta) | 2.7A (Ta) |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 220mOhm @ 1.6A, 10V | 92mOhm @ 2.7A, 10V | 480mOhm @ 1.2A, 10V | 100mOhm @ 2.7A, 10V |
بارگیری داده های IRLML0100TRPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRLML0100TRPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.