مشخصات فناوری IRL6372TRPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRL6372TRPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRL6372TRPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.1V @ 10µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 2W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1020pF @ 25V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8.1A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | IRL6372 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRL6372TRPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRL6372TRPBF | IRL6372PBF | IRL630S MOS | IRL630STRLPBF |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | IR | Vishay Siliconix |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | - | 40 nC @ 10 V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tube | - | Tape & Reel (TR) |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | Surface Mount |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | - | D²PAK (TO-263) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1020pF @ 25V | 1020pF @ 25V | - | 1100 pF @ 25 V |
| قدرت - حداکثر | 2W | 2W | - | - |
| شماره محصول پایه | IRL6372 | IRL6372 | - | IRL630 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8.1A | 8.1A | - | 9A (Tc) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | 30V | - | 200 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.1V @ 10µA | 1.1V @ 10µA | - | 2V @ 250µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V | - | 400mOhm @ 5.4A, 5V |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
بارگیری داده های IRL6372TRPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRL6372TRPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRL630S MOSIRIRL630STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 9A D2PAKIRL630PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
IRL640AonsemiMOSFET N-CH 200V 18A TO220-3IRL640APBFVBsemiIRL630STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 9A D2PAKIRL6342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIRL640PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 17A TO220ABIRL630NSIR
IRL640A MOSFairchild (onsemi)IRL630STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 9A D2PAKIRL6372PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIRL640SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 17A D2PAKIRL6342PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIRL640NPBFIRIRL640Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 17A TO220ABIRL640SVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 17A D2PAKIRL640S MOSIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.