مشخصات فناوری IRL3103PBF
مشخصات فنی International Rectifier - IRL3103PBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه International Rectifier - IRL3103PBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±16V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 12mOhm @ 34A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 94W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1650 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 33 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 64A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با International Rectifier IRL3103PBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRL3103PBF | IRL3103STRLPBF | IRL3103D1S | IRL3103STRL |
| سازنده | International Rectifier | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 33 nC @ 4.5 V | 33 nC @ 4.5 V | 43 nC @ 4.5 V | 33 nC @ 4.5 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | FETKY™ | HEXFET® |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
| VGS (حداکثر) | ±16V | ±16V | ±16V | ±16V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 12mOhm @ 34A, 10V | 12mOhm @ 34A, 10V | 14mOhm @ 34A, 10V | 12mOhm @ 34A, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 64A (Tc) | 64A (Tc) | 64A (Tc) | 64A (Tc) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1650 pF @ 25 V | 1650 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V | 1650 pF @ 25 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 94W (Tc) | 94W (Tc) | 3.1W (Ta), 89W (Tc) | 94W (Tc) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRL3103STRLPBFInternational RectifierIRL3103 - HEXFET POWER MOSFETIRL3103D1S MOSIRIRL3103D1SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 64A D2PAKIRL3103IRIRL3103S L3103SIRIRL3103STRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 64A D2PAKIRL3103D2SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 54A D2PAKIRL3103STRL MOSIRIRL3103STRLPBF MOSIRIRL3103STRPBFVBSEMIIRL3103SPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 64A D2PAKIRL3103D1STRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 64A D2PAKIRL3103LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 64A TO262IRL3103SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 64A D2PAKIRL3103 MOSIRIRL3103STRPBF.VBsemiIRL3103D1STRL MOSIRIRL3103LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 64A TO262| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.