مشخصات فناوری IRFZ44EPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRFZ44EPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRFZ44EPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 23mOhm @ 29A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 110W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1360 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 48A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IRFZ44 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRFZ44EPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFZ44EPBF | IRFZ44ESPBF | IRFZ44E | IRFZ40 |
| سازنده | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 48A (Tc) | 48A (Tc) | 48A (Tc) | 50A (Tc) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1360 pF @ 25 V | 1360 pF @ 25 V | 1360 pF @ 25 V | 1900 pF @ 25 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | D2PAK | TO-220AB | TO-220AB |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 |
| شماره محصول پایه | IRFZ44 | - | - | IRFZ40 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 23mOhm @ 29A, 10V | 23mOhm @ 29A, 10V | 23mOhm @ 29A, 10V | 28mOhm @ 31A, 10V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 110W (Tc) | 150W (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 60 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
بارگیری داده های IRFZ44EPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRFZ44EPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRFZ42STMicroelectronics
IRFZ44NIRIRFZ44 MOSIRIRFZ44ASECIRFZ44ESPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRFZ34STRRPBFIRIRFZ44ESTRLPBIRIRFZ44IRIRFZ44ESTRPBFIRIRFZ44N MOSIRIRFZ44EInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 48A TO220ABIRFZ40Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO220ABIRFZ44N MEXIR
IRFZ44ESInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 48A D2PAKIRFZ34VSPBFIRIRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 48A D2PAKIRFZ40PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 50A TO220ABIRFZ44N CHNIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.