مشخصات فناوری IRFS59N10DPBF
مشخصات فنی International Rectifier - IRFS59N10DPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه International Rectifier - IRFS59N10DPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 25mOhm @ 35.4A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2450 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 114 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با International Rectifier IRFS59N10DPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFS59N10DPBF | IRFS5620PBF | IRFS5620TRLPBF | IRFS630B |
| سازنده | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Fairchild Semiconductor |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±20V | ±20V | - |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 200 V | 200 V | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2450 pF @ 25 V | 1710 pF @ 50 V | 1710 pF @ 50 V | - |
| سلسله | HEXFET® | - | - | * |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 114 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | D2PAK | D2PAK | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 25mOhm @ 35.4A, 10V | 77.5mOhm @ 15A, 10V | 77.5mOhm @ 15A, 10V | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | 5V @ 100µA | 5V @ 100µA | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 59A (Tc) | 24A (Tc) | 24A (Tc) | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 144W (Tc) | 144W (Tc) | - |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
IRFS630Fairchild (onsemi)IRFS5620IRIRFS5620PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 24A D2PAKIRFS5615IRIRFS59N10DIRIRFS59N10DPBF MOSIRIRFS59N10DTRRIRIRFS5615TRPBFVBSEMIIRFS5620TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 24A D2PAKIRFS59N10DTRLIRIRFS59N10DTRRPBFIRIRFS630BFairchild Semiconductor9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSFIRFS59N10D MOSIRIRFS630AFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRFS5615PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IRFS59N10DTRLPInternational RectifierMOSFET N-CH 100V 59A TO263-3-2IRFS610BFairchild (onsemi)IRFS5615TRLPBFInternational RectifierIRFS5615 - DIGITAL AUDIO MOSFET| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.