مشخصات فناوری IRFS23N15D
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRFS23N15D ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRFS23N15D
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±30V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | |
سلسله | HEXFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 90mOhm @ 14A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
بسته بندی کردن | Tube |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1200 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 56 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRFS23N15D دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IRFS23N15D | IRFS17N20DPBF | IRFS23N20DPBF | IRFS23N20DTRLP |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3.8W (Ta), 136W (Tc) | 3.8W (Ta), 140W (Tc) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA | 5.5V @ 250µA |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 23A (Tc) | 16A (Tc) | 24A (Tc) | 24A (Tc) |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1200 pF @ 25 V | 1100 pF @ 25 V | 1960 pF @ 25 V | 1960 pF @ 25 V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | 200 V | 200 V | 200 V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 56 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V |
سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 90mOhm @ 14A, 10V | 170mOhm @ 9.8A, 10V | 100mOhm @ 14A, 10V | 100mOhm @ 14A, 10V |
VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | D2PAK | D2PAK | D2PAK |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
FET ویژگی | - | - | - | - |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
بارگیری داده های IRFS23N15D PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRFS23N15D - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.