مشخصات فناوری IRFHM8330TRPBF
مشخصات فنی International Rectifier - IRFHM8330TRPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه International Rectifier - IRFHM8330TRPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.35V @ 25µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-PQFN (3.3x3.3) | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 6.6mOhm @ 20A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.7W (Ta), 33W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | 8-PowerVDFN |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Bulk | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1450 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 16A (Ta), 55A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با International Rectifier IRFHM8330TRPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFHM8330TRPBF | IRFHM8337TRPBF | IRFHM830TRPBF | IRFHM831TRPBF |
| سازنده | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1450 pF @ 25 V | 755 pF @ 15 V | 2155 pF @ 25 V | 1050 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.7W (Ta), 33W (Tc) | 2.8W (Ta), 25W (Tc) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20 nC @ 10 V | 8.1 nC @ 4.5 V | 31 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 6.6mOhm @ 20A, 10V | 12.4mOhm @ 12A, 10V | 3.8mOhm @ 20A, 10V | 7.8mOhm @ 12A, 10V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 50µA | 2.35V @ 25µA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی / مورد | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-PQFN (3.3x3.3) | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) | PQFN (3x3) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 16A (Ta), 55A (Tc) | 12A (Ta) | 21A (Ta), 40A (Tc) | 14A (Ta), 40A (Tc) |
IRFHM8337TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 12A 8PQFNIRFHM831TRPBF MOSIRIRFHM830TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFNIRFHM831IRIRFHM831TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A/40A PQFNIRFHM8363TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFNIRFHM8363TRPBF.IRIRFHM8334IRIRFHM8329IRIRFHM8330IRIRFHM8363TRIRIRFHM831TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 14A PQFNIRFHM8337IRIRFHM8342TRPBFInternational RectifierIRFHM8342 - 12V-300V N-CHANNEL PIRFHM8334TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 13A/43A 8PQFN DLIRFHM8342IRIRFHM8329TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 16A/57A PQFNIRFHM8326TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 25A PQFN| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.