مشخصات فناوری IRFB42N20DPBF
مشخصات فنی International Rectifier - IRFB42N20DPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه International Rectifier - IRFB42N20DPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 55mOhm @ 26A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3430 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 140 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 44A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با International Rectifier IRFB42N20DPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFB42N20DPBF | IRFB4233PBF | IRFB4229PBF | IRFB4310ZPBF |
| سازنده | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 140 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 150µA |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 230 V | 250 V | 100 V |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3430 pF @ 25 V | 5510 pF @ 25 V | 4560 pF @ 25 V | 6860 pF @ 50 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 44A (Tc) | 56A (Tc) | 46A (Tc) | 120A (Tc) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 55mOhm @ 26A, 10V | 37mOhm @ 28A, 10V | 46mOhm @ 26A, 10V | 6mOhm @ 75A, 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.4W (Ta), 330W (Tc) | 370W (Tc) | 330W (Tc) | 250W (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
IRFB4233PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 230V 56A TO220ABIRFB4310IR/VISHAYIRFB4228IRIRFB4233IR/VISHAYIRFB42N20IRIRFB4229PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
IRFB4228PBFInternational RectifierIRFB4228 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFB4310GIRIRFB4229IRIRFB4310ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO220ABIRFB4310ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO220ABIRFB4310ZIRIRFB4310ZGIRIRFB42N20DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 44A TO220ABIRFB4310 MOSIRIRFB4310PBF.IRIRFB428PBFIRIRFB4310PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 130A TO220AB| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.