مشخصات فناوری IRFB3306PBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRFB3306PBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRFB3306PBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 150µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 4.2mOhm @ 75A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 230W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4520 pF @ 50 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 120 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 120A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IRFB3306 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRFB3306PBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFB3306PBF | IRFB3306GPBF | IRFB3307 | IRFB3256PBF |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4520 pF @ 50 V | 4520 pF @ 50 V | 5150 pF @ 50 V | 6600 pF @ 48 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 75 V | 60 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 250W (Tc) | 300W (Tc) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 4.2mOhm @ 75A, 10V | 4.2mOhm @ 75A, 10V | 6.3mOhm @ 75A, 10V | 3.4mOhm @ 75A, 10V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| شماره محصول پایه | IRFB3306 | IRFB3306 | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 120 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 130A (Tc) | 75A (Tc) |
بارگیری داده های IRFB3306PBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRFB3306PBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRFB3306GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO220ABIRFB3307Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
IRFB3307ZIRIRFB3306GIRIRFB3307ZGIRIRFB3256PBFInternational RectifierIRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFB32N20IRIRFB3207ZPBF MOSIRIRFB3307PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 130A TO220ABIRFB3306PBF MXIRIRFB3306IRIRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220ABIRFB32N20DIRIRFB3307PBF.IRIRFB3307GIR/VISHAYIRFB3256IRIRFB3307ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220ABIRFB3207ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.