مشخصات فناوری IRF8910GPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF8910GPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF8910GPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.55V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 13.4mOhm @ 10A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 2W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 960pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | IRF89 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF8910GPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF8910GPBF | IRF8915 | IRF8910PBF | IRF8910GTRPBF |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A | 8.9A | 10A | 10A |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 13.4mOhm @ 10A, 10V | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V | 13.4mOhm @ 10A, 10V | 13.4mOhm @ 10A, 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | 20V | 20V | 20V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 960pF @ 10V | 540pF @ 10V | 960pF @ 10V | 960pF @ 10V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.55V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11nC @ 4.5V | 7.4nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V |
| شماره محصول پایه | IRF89 | IRF89 | IRF89 | IRF89 |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| قدرت - حداکثر | 2W | 2W | 2W | 2W |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
بارگیری داده های IRF8910GPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF8910GPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF8736TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRF8736TEPBFIR
IRF8788PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 24A 8SOIRF8915Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOICIRF8910TRPBF MOSIRFIRF8910GTRPBF MOSIRIRF8910PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICIRF8788IRIRF8788TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 24A 8SOIRF8910IRIRF8910TRMO&UIRF8910GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICIRF8910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICIRF8910TR MOSIRIRF8736TRIRIRF8788TRPBF MOSIRIRF8915PBFCT-NDIRIRF8736TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.