مشخصات فناوری IRF7821TR
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF7821TR ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF7821TR
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 9.1mOhm @ 13A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 155°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1010 pF @ 15 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 14 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 13.6A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF7821TR دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF7821TR | IRF7815TRPBF | IRF7821PBF | IRF7822TRPBF |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 9.1mOhm @ 13A, 10V | 43mOhm @ 3.1A, 10V | 9.1mOhm @ 13A, 10V | 6.5mOhm @ 15A, 4.5V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | 5V @ 100µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 155°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 155°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 150 V | 30 V | 30 V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±12V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1010 pF @ 15 V | 1647 pF @ 75 V | 1010 pF @ 15 V | 5500 pF @ 16 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 3.1W (Ta) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 13.6A (Ta) | 5.1A (Ta) | 13.6A (Ta) | 18A (Ta) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 14 nC @ 4.5 V | 38 nC @ 10 V | 14 nC @ 4.5 V | 60 nC @ 5 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
بارگیری داده های IRF7821TR PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF7821TR - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF7815TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 5.1A 8SOIRF7821PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFET
IRF7821TR MOSIRFIRF7822TR MOSIRIRF7822TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 18A 8SOIRF7820TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 200V 3.7A 8-SOIRF7820TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7821TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13.6A 8SOIRF7821UIRIRF7823IRIRF7814PBFIRIRF7821UPBFIRIRF7822TRIRIRF7815IRIRF7821IRIRF7812TRIRIRF7822IRIRF7815TRPBF MOSIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.