مشخصات فناوری IRF7805TRPBF
مشخصات فنی International Rectifier - IRF7805TRPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه International Rectifier - IRF7805TRPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±12V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 11mOhm @ 7A, 4.5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Bulk | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 31 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 13A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با International Rectifier IRF7805TRPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF7805TRPBF | IRF7805ZPBF | IRF7805APBF | IRF7805QTRPBF |
| سازنده | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 2.25V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 31 nC @ 5 V | 27 nC @ 4.5 V | 31 nC @ 5 V | 31 nC @ 5 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 6.8mOhm @ 16A, 10V | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 11mOhm @ 7A, 4.5V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 13A (Ta) | 16A (Ta) | 13A (Ta) | 13A (Ta) |
| VGS (حداکثر) | ±12V | ±20V | ±12V | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | - |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Tube | Cut Tape (CT) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
IRF7805ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 16A 8SOIRF7805APBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7805QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICIRF7805IRIRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 16A 8SOIRF7805ATRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7807Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIRF7805ZGTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 16A 8SOIRF7805ZPBF MOSIRIRF7805ATRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7805QIR
IRF7805TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7805TRIRIRF7805PBF MOSIRIRF7805PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7807AVTRPBFIRIRF7805ZTRIRIRF7807ATRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.