مشخصات فناوری IRF7526D1TR
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF7526D1TR ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF7526D1TR
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | Micro8™ | |
سلسله | FETKY™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 200mOhm @ 1.2A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.25W (Ta) | |
بسته بندی / مورد | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 180 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11 nC @ 10 V | |
نوع FET | P-Channel | |
FET ویژگی | Schottky Diode (Isolated) | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF7526D1TR دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IRF7526D1TR | IRF7524D1GTRPBF | IRF7524D1TRPBF | IRF7523D1TRPBF |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±12V | ±12V | ±20V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 20 V | 20 V | 30 V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) | 1.25W (Ta) |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 2.7V, 4.5V | 2.7V, 4.5V | 4.5V, 10V |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11 nC @ 10 V | 8.2 nC @ 4.5 V | 8.2 nC @ 4.5 V | 12 nC @ 10 V |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 700mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بسته بندی / مورد | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
سلسله | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ |
FET ویژگی | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 180 pF @ 25 V | 240 pF @ 15 V | 240 pF @ 15 V | 210 pF @ 25 V |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 200mOhm @ 1.2A, 10V | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V | 130mOhm @ 1.7A, 10V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2A (Ta) | 1.7A (Ta) | 1.7A (Ta) | 2.7A (Ta) |
کننده بسته بندی دستگاه | Micro8™ | 8-uSMD | Micro8™ | Micro8™ |
بارگیری داده های IRF7526D1TR PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF7526D1TR - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.