مشخصات فناوری IRF7306TRPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF7306TRPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF7306TRPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 100mOhm @ 1.8A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 2W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 440pF @ 25V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 25nC @ 10V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.6A | |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | IRF73 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF7306TRPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF7306TRPBF | IRF7304TRPBF | IRF7307TRPBF | IRF7307QTRPBF |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| شماره محصول پایه | IRF73 | IRF73 | IRF73 | IRF73 |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | N and P-Channel |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.6A | 4.3A | 5.2A, 4.3A | 5.2A, 4.3A |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 100mOhm @ 1.8A, 10V | 90mOhm @ 2.2A, 4.5V | 50mOhm @ 2.6A, 4.5V | 50mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 440pF @ 25V | 610pF @ 15V | 660pF @ 15V | 660pF @ 15V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 25nC @ 10V | 22nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| قدرت - حداکثر | 2W | 2W | 2W | 2W |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | 20V | 20V | 20V |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | 700mV @ 250µA | 700mV @ 250µA | 700mV @ 250µA |
بارگیری داده های IRF7306TRPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF7306TRPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF7304TR MOSIRIRF7306IRIRF7304TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOICIRF7304TRPBF MOSIRIRF7307TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 8-SOICIRF7307TRIRFIRF7306PBF MOSIRIRF7307QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SOIRF7304TRInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
IRF7306TRInternational RectifierHEXFET Power mosfetIRF7307IRIRF7306TRPBF MOSIRFIRF7307QPBFIRIRF7306PBFInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNELIRF7304QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOICIRF7307TRPBF MOSIRFIRF7307 MOSIRIRF7307PBF MOSIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.