مشخصات فناوری IRF7103PBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF7103PBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF7103PBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 130mOhm @ 3A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 2W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 290pF @ 25V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 30nC @ 10V | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 50V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | IRF71 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF7103PBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF7103PBF | IRF7102 | IRF7103TRPBF | IRF7103Q |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| قدرت - حداکثر | 2W | 2W | 2W | 2.4W |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 50V | 50V | 50V | 50V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 290pF @ 25V | 120pF @ 25V | 290pF @ 25V | 255pF @ 25V |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 30nC @ 10V | 6.6nC @ 10V | 30nC @ 10V | 15nC @ 10V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 130mOhm @ 3A, 10V | 300mOhm @ 1.5A, 10V | 130mOhm @ 3A, 10V | 130mOhm @ 3A, 10V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3A | 2A | 3A | 3A |
| شماره محصول پایه | IRF71 | IRF71 | IRF71 | IRF71 |
بارگیری داده های IRF7103PBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF7103PBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF7102TRIRIRF7102Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOICIRF7103QTRIRIRF7102TRPBFVBSEMIIRF7101TRPBF.IRIRF7103QTRPBF MOSIRIRF7103TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOICIRF7103ITRPBFVBSEMIIRF7103QInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOICIRF7103UTRPBFVBSEMIIRF7103ITRPBF.IRIRF7103QPBFIRIRF7103IRIRF7103QTRPBF.IRIRF7103QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOICIRF7103TRIRFIRF7101TRPBF MOSIRIRF7101TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.