مشخصات فناوری IRF6727MTRPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF6727MTRPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF6727MTRPBF
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.35V @ 100µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | DIRECTFET™ MX | |
سلسله | HEXFET® | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.7mOhm @ 32A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | DirectFET™ Isometric MX | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6190 pF @ 15 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 74 nC @ 4.5 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) | |
شماره محصول پایه | IRF6727 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF6727MTRPBF دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IRF6727MTRPBF | IRF6775MTR1PBF | IRF6797MTRPBF | IRF6795MTR1PBF |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 74 nC @ 4.5 V | 36 nC @ 10 V | 68 nC @ 4.5 V | 53 nC @ 4.5 V |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
بسته بندی / مورد | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric MZ | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric MX |
سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6190 pF @ 15 V | 1411 pF @ 25 V | 5790 pF @ 13 V | 4280 pF @ 13 V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.8W (Ta), 75W (Tc) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
شماره محصول پایه | IRF6727 | - | - | - |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.35V @ 100µA | 5V @ 100µA | 2.35V @ 150µA | 2.35V @ 100µA |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 32A (Ta), 180A (Tc) | 4.9A (Ta), 28A (Tc) | 36A (Ta), 210A (Tc) | 32A (Ta), 160A (Tc) |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 150 V | 25 V | 25 V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.7mOhm @ 32A, 10V | 56mOhm @ 5.6A, 10V | 1.4mOhm @ 38A, 10V | 1.8mOhm @ 32A, 10V |
کننده بسته بندی دستگاه | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ MZ | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ MX |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
بارگیری داده های IRF6727MTRPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF6727MTRPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.