مشخصات فناوری IRF640NSPBF
مشخصات فنی International Rectifier - IRF640NSPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه International Rectifier - IRF640NSPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 150mOhm @ 11A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Bulk | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1160 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 67 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 18A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با International Rectifier IRF640NSPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF640NSPBF | IRF640NPBF | IRF640PBF | IRF640NLPBF |
| سازنده | International Rectifier | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tube | Bulk | Tube |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 150W (Tc) | 150W (Tc) | 125W (Tc) | 150W (Tc) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 18A (Tc) | 18A (Tc) | 18A (Tc) | 18A (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1160 pF @ 25 V | 1160 pF @ 25 V | 1300 pF @ 25 V | 1160 pF @ 25 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 67 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V | 70 nC @ 10 V | 67 nC @ 10 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 150mOhm @ 11A, 10V | 150mOhm @ 11A, 10V | 180mOhm @ 11A, 10V | 150mOhm @ 11A, 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | TO-220AB | TO-220AB | TO-262 |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
IRF640PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF640NSTRRHRIRIRF640NSTRRIRIRF640NSTRLIRIRF640NSTRIRIRF640NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 18A TO220ABIRF640PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 18A TO220ABIRF640NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 18A TO262IRF640NSTRRPBFInternational RectifierIRF640 - HEXFET POWER MOSFET
IRF640FPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 18A TO220FPIRF640NSIRIRF640LPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
IRF640NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 18A D2PAKIRF640NSTRPBFIRIRF640NIRIRF640NLPBF MOSIRIRF640NS MOSIRIRF640NPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.