مشخصات فناوری IRF630NPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF630NPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF630NPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 300mOhm @ 5.4A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 82W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 575 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9.3A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IRF630 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF630NPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF630NPBF | IRF630NLPBF | IRF630NSTRLPBF | IRF630NL |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 82W (Tc) | 82W (Tc) | 82W (Tc) | 82W (Tc) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 575 pF @ 25 V | 575 pF @ 25 V | 575 pF @ 25 V | 575 pF @ 25 V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 9.3A (Tc) | 9.3A (Tc) | 9.3A (Tc) | 9.3A (Tc) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 300mOhm @ 5.4A, 10V | 300mOhm @ 5.4A, 10V | 300mOhm @ 5.4A, 10V | 300mOhm @ 5.4A, 10V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | TO-262 | D2PAK | TO-262 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| شماره محصول پایه | IRF630 | - | IRF630 | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بارگیری داده های IRF630NPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF630NPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF630NPBF-MXIRIRF630NLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 9.3A TO262
IRF630MFRSTMicroelectronicsIRF630NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAKIRF630NIRIRF630MSTMicroelectronicsIRF630NSTRPBFIRIRF630NLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 9.3A TO262IRF630NSInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAKIRF630MFSTMicroelectronicsIRF630N MOSIRIRF630HHARRIRF630NSPBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRF630NPBF MOSIRIRF630NS/F630NSIRIRF630MFPSTMicroelectronicsIRF630NPBF MXIRIRF630NSTRLIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.