مشخصات فناوری IRF4104SPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF4104SPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF4104SPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5.5mOhm @ 75A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 140W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3000 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 75A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IRF4104 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF4104SPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF4104SPBF | IRF432 | IRF431 | IRF442 |
| سازنده | Infineon Technologies | International Rectifier | International Rectifier | Harris Corporation |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | - | - | 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | 500 V | 450 V | 500 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| شماره محصول پایه | IRF4104 | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 75A (Tc) | 4A | 4.5A | 7A (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 10 V | - | 30 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5.5mOhm @ 75A, 10V | - | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V | 1.1Ohm @ 4.4A, 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | TO-204AA (TO-3) | TO-3 | TO-3 |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 140W (Tc) | 75W | 75W (Tc) | 125W (Tc) |
| سلسله | HEXFET® | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 | TO-204AA, TO-3 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3000 pF @ 25 V | - | 800 pF @ 25 V | 1225 pF @ 25 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
بارگیری داده های IRF4104SPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF4104SPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF4104STRPBFIRIRF432International RectifierHEXFET POWER MOSFETSIRF420IRIRF431International RectifierMOSFET N-CH 450V 4.5A TO3IRF433International Rectifier4.0A, 450V, 2.0 OHM, N-CHANNEL PIRF4410TRPBFIRFIRF4104S F4104SIRIRF442Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF4104 MOSIRIRF433Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF4104Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220ABIRF4104PBFX5IRIRF4104LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO262IRF440IRIRF4104PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A TO220ABIRF4104GIRIRF4104PBF.IRIRF4104SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 75A D2PAK| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.