مشخصات فناوری IRF3515S
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF3515S ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF3515S
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 45mOhm @ 25A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 200W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2260 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 107 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 41A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF3515S دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF3515S | IRF350 | IRF3515STRLPBF | IRF3515STRRPBF |
| سازنده | Infineon Technologies | NTE Electronics, Inc | Infineon Technologies | IR |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2260 pF @ 25 V | 2600 pF @ 25 V | 2260 pF @ 25 V | - |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±20V | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | D2PAK | TO-3 | D2PAK | - |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-204AA, TO-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | 400 V | 150 V | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| سلسله | HEXFET® | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 45mOhm @ 25A, 10V | 400mOhm @ 14A, 10V | 45mOhm @ 25A, 10V | - |
| بسته بندی کردن | Tube | Bag | Cut Tape (CT) | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 41A (Tc) | 14A (Tc) | 41A (Tc) | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 107 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 107 nC @ 10 V | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 200W (Tc) | 150W (Tc) | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
بارگیری داده های IRF3515S PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF3515S - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF3515STRRPBFIRIRF3515LPBFIRIRF353D2IRIRF350R
IRF3500QualcommIRF3416IRIRF3515SPBFIRIRF3415STRPBFIRIRF35302IRIRF3504SIRIRF3515S MOSIRIRF3515STRPBF.IRIRF3515STRLPBF MOSIR
IRF3502AMTRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF353D2PBFIRIRF350NTE Electronics, IncMOSFET N-CH 400V 14A TO3IRF342IRF3515STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 41A D2PAK| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.