مشخصات فناوری IR2130
مشخصات فنی Infineon Technologies - IR2130 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IR2130
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| ولتاژ - تامین | 10V ~ 20V | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 28-PDIP | |
| سلسله | - | |
| ظهور / پاییز زمان (نوع) | 80ns, 35ns | |
| بسته بندی / مورد | 28-DIP (0.600", 15.24mm) | |
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| فرکانس ورودی | 6 |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| منطق ولتاژ - VIL، VIH | 0.8V, 2.2V | |
| نوع ورودی | Inverting | |
| ولتاژ سمت بالا - حداکثر (راه انداز) | 600 V | |
| نوع گیت | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| پیکربندی رانده | Half-Bridge | |
| کنونی - خروجی اوج (منبع، مخزن) | 250mA, 500mA | |
| بیس-امیتر اشباع ولتاژ (حداکثر) | 3-Phase | |
| شماره محصول پایه | IR2130 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IR2130 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IR2130 | IR2130J | IR2130JPBF | IR2127STR |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| نوع گیت | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| ولتاژ سمت بالا - حداکثر (راه انداز) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| ولتاژ - تامین | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 12V ~ 20V |
| بیس-امیتر اشباع ولتاژ (حداکثر) | 3-Phase | 3-Phase | 3-Phase | Single |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| کننده بسته بندی دستگاه | 28-PDIP | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 8-SOIC |
| شماره محصول پایه | IR2130 | IR2130 | IR2130 | IR2127 |
| فرکانس ورودی | 6 | 6 | 6 | 1 |
| پیکربندی رانده | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | High-Side or Low-Side |
| بسته بندی / مورد | 28-DIP (0.600", 15.24mm) | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| منطق ولتاژ - VIL، VIH | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 3V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| کنونی - خروجی اوج (منبع، مخزن) | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA |
| نوع ورودی | Inverting | Inverting | Inverting | Non-Inverting |
| سلسله | - | - | - | - |
| ظهور / پاییز زمان (نوع) | 80ns, 35ns | 80ns, 35ns | 80ns, 35ns | 80ns, 40ns |
بارگیری داده های IR2130 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IR2130 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IR2130JInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
IR2127SIRIR2130JPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR2130JPBF.IRIR2127STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
IR2130SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIR21271STRPBF.IRIR2127STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2130FIRIR2130PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP
IR2127PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIPIR2130JTRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR2128SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2128STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2130JTRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIR2127SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIR2127STRPBF.IRIR2130DIR| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.