مشخصات فناوری IPS50R520CP
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPS50R520CP ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPS50R520CP
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO251-3-11 | |
| سلسله | CoolMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 520mOhm @ 3.8A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 66W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-251-3 Stub Leads, IPak | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 680 pF @ 100 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 550 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7.1A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IPS50R |
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHs | |
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | 1 (Unlimited) |
| وضعیت رسیدن | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPS50R520CP دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IPS50R520CP | IPS511GTRPBF. | IPS511GTR | IPS511S |
| سازنده | Infineon Technologies | IR | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| سلسله | CoolMOS™ | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 550 V | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7.1A (Tc) | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 250µA | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 66W (Tc) | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17 nC @ 10 V | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 520mOhm @ 3.8A, 10V | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 680 pF @ 100 V | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO251-3-11 | - | 8-SOIC | D2Pak (SMD-220 5-Lead) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | - | Surface Mount | Surface Mount |
| شماره محصول پایه | IPS50R | - | IPS511 | IPS511 |
| نوع FET | N-Channel | - | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-251-3 Stub Leads, IPak | - | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
| بسته بندی کردن | Tube | - | Tape & Reel (TR) | Tube |
بارگیری داده های IPS50R520CP PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPS50R520CP - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IPS511GTRPBF.IRIPS511GTRInfineon TechnologiesIC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SOIPS511SInfineon TechnologiesIC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 D2PAK
IPS4260LSTMicroelectronicsIPS511-G-TR-PBFINFIPS2N60IPSIPS211-SO-G-LFAAI
IPS4260LTRSTMicroelectronicsIC PWR SWTCH P-CHAN 1:1 20HTSSOP
IPS226LUMILEDSIPS3204J-SQ-SPNIPUSIPS3204JSQIPUS
IPS2200BI1WRenesasIPS511GTRPBFIRIPS511STRLInfineon TechnologiesIC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 D2PAK
IPS511Infineon TechnologiesIC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO220ABIPS511GIRIPS2200BI1RRenesasIPS50R520CP MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ لطفاً را به سبد خرید اضافه کنید ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.