مشخصات فناوری IPN60R1K0PFD7SATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPN60R1K0PFD7SATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPN60R1K0PFD7SATMA1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 50µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-SOT223-4 | |
| سلسله | CoolMOS™ PFD7 | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1Ohm @ 1A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 6W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-261-4, TO-261AA | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 230 pF @ 400 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IPN60R |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPN60R1K0PFD7SATMA1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IPN60R1K0PFD7SATMA1 | IPN50R2K0CEATMA1 | IPN60R3K4CEATMA1 | IPN50R950CE |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon | Infineon |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| شماره محصول پایه | IPN60R | IPN50R2 | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 13V | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 50µA | 3.5V @ 50µA | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 230 pF @ 400 V | 124 pF @ 100 V | - | - |
| سلسله | CoolMOS™ PFD7 | CoolMOS™ CE | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 6W (Tc) | 5W (Tc) | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-SOT223-4 | PG-SOT223-3 | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 500 V | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) | 3.6A (Tc) | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6 nC @ 10 V | 6 nC @ 10 V | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1Ohm @ 1A, 10V | 2Ohm @ 600mA, 13V | - | - |
بارگیری داده های IPN60R1K0PFD7SATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPN60R1K0PFD7SATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IPN60R3K4CEATMA1InfineonIPN50R950CEInfineonIPN50R650CEATMA1InfineonIPN60R3K4CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPN60R360PFD7SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPN60R2K1CEATMA1InfineonIPN60R1K0CEIPN60R1K0CEATMA1InfineonIPN60R1K5CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPN50R950CEATMA1InfineonIPN50R3K0CEATMA1InfineonIPN60R360P7SInfineonIPN60R360P7SATMA1InfineonIPN60R2K1CEInfineonIPN50R3K0CEInfineonIPN60R3K4CE MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPN50R650CEInfineonIPN50R2K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.