مشخصات فناوری IPD60R180P7ATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPD60R180P7ATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPD60R180P7ATMA1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 280µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO252-3 | |
| سلسله | CoolMOS™ P7 | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 180mOhm @ 5.6A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 72W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1081 pF @ 400 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 25 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 18A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IPD60R |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPD60R180P7ATMA1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IPD60R180P7ATMA1 | IPD600N25N3GATMA1 | IPD60R180P7SAUMA1 | IPD60N10S4L12ATMA1 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 18A (Tc) | 25A (Tc) | 18A (Tc) | 60A (Tc) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±16V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 72W (Tc) | 136W (Tc) | 72W (Tc) | 94W (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 25 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 25 nC @ 10 V | 49 nC @ 10 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 180mOhm @ 5.6A, 10V | 60mOhm @ 25A, 10V | 180mOhm @ 5.6A, 10V | 12mOhm @ 60A, 10V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1081 pF @ 400 V | 2350 pF @ 100 V | 1081 pF @ 400 V | 3170 pF @ 25 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 280µA | 4V @ 90µA | 4V @ 280µA | 2.1V @ 46µA |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-313 |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| سلسله | CoolMOS™ P7 | OptiMOS™ | CoolMOS™ P7 | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 250 V | 600 V | 100 V |
| شماره محصول پایه | IPD60R | IPD600 | IPD60R | IPD60N10 |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
بارگیری داده های IPD60R180P7ATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPD60R180P7ATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IPD60R170CFD7ATMA1InfineonIPD60R1K4C6 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R145CFD7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R180P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R1K5CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R1K0CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IPD60R1K4C6BTMA1INENOIIPD60N10S4-12Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 25A TO252-3IPD60R170CFD7INENOIIPD60R180P7SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 18A TO252-3IPD60R180C7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD60N10S4L-12Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 60A TO252-3IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 5A TO252IPD60R1K4C6Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.