مشخصات فناوری IPD50P04P4L11ATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPD50P04P4L11ATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPD50P04P4L11ATMA1
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.2V @ 85µA | |
VGS (حداکثر) | ±16V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO252-3-313 | |
سلسله | Automotive, OptiMOS™-P2 | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 10.6mOhm @ 50A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 58W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3900 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 59 nC @ 10 V | |
نوع FET | P-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 50A (Tc) | |
شماره محصول پایه | IPD50 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA1 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IPD50P04P4L11ATMA1 | IPD50P04P413ATMA1 | IPD50R280CEAUMA1 | IPD50R280CEBTMA1 |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
سلسله | Automotive, OptiMOS™-P2 | OptiMOS™ | CoolMOS™ CE | CoolMOS™ CE |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3900 pF @ 25 V | 3670 pF @ 25 V | 773 pF @ 100 V | 773 pF @ 100 V |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 13A (Ta) | 13A (Tc) |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 59 nC @ 10 V | 51 nC @ 10 V | 32.6 nC @ 10 V | 32.6 nC @ 10 V |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3-313 | PG-TO252-3 | PG-TO252-3-11 |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.2V @ 85µA | 4V @ 85µA | 3.5V @ 350µA | 3.5V @ 350µA |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 10.6mOhm @ 50A, 10V | 12.6mOhm @ 50A, 10V | 280mOhm @ 4.2A, 13V | 280mOhm @ 4.2A, 13V |
بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
شماره محصول پایه | IPD50 | IPD50 | IPD50R | IPD50R |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 10V | 13V | 13V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | 40 V | 500 V | 500 V |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
VGS (حداکثر) | ±16V | ±20V | ±20V | ±20V |
نوع FET | P-Channel | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 58W (Tc) | 58W (Tc) | 119W (Tc) | 92W (Tc) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
بارگیری داده های IPD50P04P4L11ATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPD50P04P4L11ATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.