مشخصات فناوری IPB180N03S4LH0ATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPB180N03S4LH0ATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPB180N03S4LH0ATMA1
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.2V @ 200µA | |
VGS (حداکثر) | ±16V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-7-3 | |
سلسله | OptiMOS™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 0.95mOhm @ 100A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 250W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 23000 pF @ 25 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 300 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 180A (Tc) | |
شماره محصول پایه | IPB180 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPB180N03S4LH0ATMA1 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IPB180N03S4LH0ATMA1 | IPB180N03S4L-01 | IPB180N03S4L-H0 | IPB17N25S3100ATMA1 |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 300 nC @ 10 V | 239 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FET ویژگی | - | - | - | - |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 180A (Tc) | 180A (Tc) | 180A (Tc) | 17A (Tc) |
بسته بندی / مورد | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
شماره محصول پایه | IPB180 | IPB180 | IPB180 | IPB17N25 |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | 30 V | 250 V |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
سلسله | OptiMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 23000 pF @ 25 V | 17600 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V | 1500 pF @ 25 V |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 250W (Tc) | 188W (Tc) | 250W (Tc) | 107W (Tc) |
VGS (حداکثر) | ±16V | ±16V | ±16V | ±20V |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-7-3 | PG-TO263-7-3-10 | PG-TO263-7-3-10 | PG-TO263-3-2 |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 0.95mOhm @ 100A, 10V | 1.05mOhm @ 100A, 10V | 0.95mOhm @ 100A, 10V | 100mOhm @ 17A, 10V |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.2V @ 200µA | 2.2V @ 140µA | 2.2V @ 200µA | 4V @ 54µA |
بارگیری داده های IPB180N03S4LH0ATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPB180N03S4LH0ATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.