مشخصات فناوری IPB100N04S303ATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPB100N04S303ATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPB100N04S303ATMA1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 150µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-3-2 | |
| سلسله | OptiMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.5mOhm @ 80A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 214W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 9600 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 145 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 100A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IPB100 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPB100N04S303ATMA1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IPB100N04S303ATMA1 | IPB100N04S204ATMA4 | IPB100N04S204ATMA1 | IPB100N04S2-04 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| سلسله | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | * |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| شماره محصول پایه | IPB100 | IPB100 | IPB100N | - |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 145 nC @ 10 V | 172 nC @ 10 V | 172 nC @ 10 V | 172 nC @ 10 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 9600 pF @ 25 V | 5300 pF @ 25 V | 5300 pF @ 25 V | 5300 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 214W (Tc) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 300W (Tc) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.5mOhm @ 80A, 10V | 3.3mOhm @ 80A, 10V | 3.3mOhm @ 80A, 10V | 3.3mOhm @ 80A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 150µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3-2 |
بارگیری داده های IPB100N04S303ATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPB100N04S303ATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IPB100N04S2L-03Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S2-04 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S4-02DCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB100N04S204ATMA4Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 100A TO263-3IPB100N06S2-05Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S204ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 100A TO263-3IPB100N04S2-04Infineon TechnologiesIPB100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUIPB100N06S2L-05Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB09N03LAGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S4H2ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 100A TO263-3IPB100N04S3-03Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S4-H2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S4-H2 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S4-02Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S4Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S3-03 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N06S2-05 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB100N04S3-03 3PN0403Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.