مشخصات فناوری IPB054N06N3GATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPB054N06N3GATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPB054N06N3GATMA1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 58µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-3 | |
| سلسله | OptiMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5.4mOhm @ 80A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 115W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6600 pF @ 30 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 82 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 80A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IPB054 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPB054N06N3GATMA1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IPB054N06N3GATMA1 | IPB057N06NATMA1 | IPB054N06N3G | IPB052N04NG |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| سلسله | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ 3 | OptiMOS™ 3 |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 6600 pF @ 30 V | 2000 pF @ 30 V | 6600 pF @ 30 V | 3300 pF @ 20 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| شماره محصول پایه | IPB054 | IPB057 | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 115W (Tc) | 3W (Ta), 83W (Tc) | 115W (Tc) | 79W (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 58µA | 2.8V @ 36µA | 4V @ 58µA | 4V @ 33µA |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | 40 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 80A (Tc) | 17A (Ta), 45A (Tc) | 80A (Tc) | 70A (Tc) |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 82 nC @ 10 V | 27 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V | 42 nC @ 10 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-3 | PG-TO263-3 | PG-TO263-3-2 | PG-TO-263-3-2 |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5.4mOhm @ 80A, 10V | 5.7mOhm @ 45A, 10V | 5.7mOhm @ 80A, 10V | 5.2mOhm @ 70A, 10V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 6V, 10V | 10V | 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
بارگیری داده های IPB054N06N3GATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPB054N06N3GATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IPB057N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 17A/45A D2PAKIPB054N06N3GInfineon TechnologiesIPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL PIPB052N06L3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB054N08N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB057N06N MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB057N06N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB052N04NGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB05CN10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB054N08N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB04N03LAGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB051NE8NG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB050N06NGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB057N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB055N03LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB051NE8NGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB054N06N3-GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB054N06N3G MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB054N08N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 80A D2PAK| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.