مشخصات فناوری IPB044N15N5ATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPB044N15N5ATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPB044N15N5ATMA1
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.6V @ 264µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-7 | |
سلسله | OptiMOS™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 4.4mOhm @ 87A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 300W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8000 pF @ 75 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 8V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 174A (Tc) | |
شماره محصول پایه | IPB044 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPB044N15N5ATMA1 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | IPB044N15N5ATMA1 | IPB048N15N5ATMA1 | IPB049N06L3G | IPB048N06LG |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-7 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3 | PG-TO-263-3-2 |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 8V, 10V | 8V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.6V @ 264µA | 4.6V @ 264µA | 2.2V @ 58µA | 2V @ 270µA |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 115W (Tc) | 300W (Tc) |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
بسته بندی / مورد | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 8000 pF @ 75 V | 7800 pF @ 75 V | 8400 pF @ 30 V | 7600 pF @ 30 V |
سلسله | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ 3 | OptiMOS® |
شماره محصول پایه | IPB044 | IPB048 | - | - |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 4.4mOhm @ 87A, 10V | 4.8mOhm @ 60A, 10V | 5mOhm @ 80A, 10V | 4.7mOhm @ 100A, 10V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 174A (Tc) | 120A (Tc) | 80A (Tc) | 100A (Tc) |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 100 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V | 50 nC @ 4.5 V | 225 nC @ 10 V |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | 150 V | 60 V | 60 V |
FET ویژگی | - | - | - | - |
بارگیری داده های IPB044N15N5ATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPB044N15N5ATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.