مشخصات فناوری IPB025N08N3GATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPB025N08N3GATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPB025N08N3GATMA1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 270µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-3 | |
| سلسله | OptiMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.5mOhm @ 100A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 300W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 14200 pF @ 40 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 206 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 6V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 120A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IPB025 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPB025N08N3GATMA1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IPB025N08N3GATMA1 | IPB025N10N3GATMA1 | IPB022N04LG | IPB024N08N5ATMA1 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 2.5mOhm @ 100A, 10V | 2.5mOhm @ 100A, 10V | 2.2mOhm @ 90A, 10V | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| سلسله | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ 3 | OptiMOS™ |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| بسته بندی / مورد | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 120A (Tc) | 180A (Tc) | 90A (Tc) | 120A (Tc) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 14200 pF @ 40 V | 14800 pF @ 50 V | 13000 pF @ 20 V | 8970 pF @ 40 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 300W (Tc) | 300W (Tc) | 167W (Tc) | 214W (Tc) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 206 nC @ 10 V | 206 nC @ 10 V | 166 nC @ 10 V | 123 nC @ 10 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-3 | PG-TO263-7 | PG-TO263-3-2 | PG-TO263-3 |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 6V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V |
| شماره محصول پایه | IPB025 | IPB025 | - | IPB024 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80 V | 100 V | 40 V | 80 V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 270µA | 3.5V @ 275µA | 2V @ 95µA | 3.8V @ 154µA |
بارگیری داده های IPB025N08N3GATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPB025N08N3GATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IPB027N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB025N10N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB027N10N3G 027N10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB023N06N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB025N10N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 180A TO263-7IPB022N04LGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB026N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB024N08N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 120A D2PAKIPB026N06N3G 026N06NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB023N04NGInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETIPB025N08N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB026N06NATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAKIPB025N10N3GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIPB024N08N5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB025N10N3G 025N10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB023N04NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPB024N10N5ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 180A TO263-7IPB024N10N5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.