مشخصات فناوری IPAN70R360P7SXKSA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IPAN70R360P7SXKSA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IPAN70R360P7SXKSA1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 150µA | |
| VGS (حداکثر) | ±16V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-FP | |
| سلسله | CoolMOS™ P7 | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 360mOhm @ 3A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 26.5W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 517 pF @ 400 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 16.4 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 700 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IPAN70 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IPAN70R360P7SXKSA1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IPAN70R360P7SXKSA1 | IPA95R450P7XKSA1 | IPAN80R450P7XKSA1 | IPAW60R180P7SXKSA1 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon | Infineon |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 700 V | 950 V | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±16V | ±20V | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | - | - |
| شماره محصول پایه | IPAN70 | IPA95R450 | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-FP | PG-TO220-FP | - | - |
| سلسله | CoolMOS™ P7 | CoolMOS™ P7 | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 517 pF @ 400 V | 1053 pF @ 400 V | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 360mOhm @ 3A, 10V | 450mOhm @ 7.2A, 10V | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3.5V @ 150µA | 3.5V @ 360µA | - | - |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 26.5W (Tc) | 30W (Tc) | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) | 14A (Tc) | - | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 16.4 nC @ 10 V | 35 nC @ 10 V | - | - |
بارگیری داده های IPAN70R360P7SXKSA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IPAN70R360P7SXKSA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IPAN80R450P7XKSA1InfineonIPAW60R180P7SXKSA1InfineonIPAN70R600P7SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPAN70R450P7SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPAN80R450P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA9R1K2C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPAN70R900P7SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPAN70R360P7SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA95R450P7XKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 950V 14A TO220IPAW60R190CECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPAN60R125PFD7SXKSA1InfineonIPA95R450P7INFINEOIPA95R1K2P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPA95R750P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPAN65R650CEINEINEONIPAW60R180P7SInfineon
IPAGOR0990PTexas InstrumentsIPAN80R280P7XKSA1Infineon| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.