مشخصات فناوری IMBG120R220M1HXTMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IMBG120R220M1HXTMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IMBG120R220M1HXTMA1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.7V @ 1.6mA | |
| VGS (حداکثر) | +18V, -15V | |
| تکنولوژی | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-7-12 | |
| سلسله | CoolSiC™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 294mOhm @ 4A, 18V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 83W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 312 pF @ 800 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9.4 nC @ 18 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | Standard | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 1200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 13A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IMBG120 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IMBG120R220M1HXTMA1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IMBG120R220M1HXTMA1 | IMBF170R1K0M1XTMA1 | IMBH50D-060 | IMBF170R450M1XTMA1 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Fujitsu Electronics America, Inc. | Infineon |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9.4 nC @ 18 V | 5 nC @ 12 V | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| FET ویژگی | Standard | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 312 pF @ 800 V | 275 pF @ 1000 V | - | - |
| تکنولوژی | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5.7V @ 1.6mA | 5.7V @ 1.1mA | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| سلسله | CoolSiC™ | CoolSiC™ | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 13A (Tc) | 5.2A (Tc) | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 83W (Tc) | 68W (Tc) | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | - | - |
| شماره محصول پایه | IMBG120 | IMBF170 | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO263-7-12 | PG-TO263-7-13 | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 1200 V | 1700 V | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 294mOhm @ 4A, 18V | 1000mOhm @ 1A, 15V | - | - |
| VGS (حداکثر) | +18V, -15V | +20V, -10V | - | - |
بارگیری داده های IMBG120R220M1HXTMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IMBG120R220M1HXTMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IMBH50D-060Fujitsu Electronics America, Inc.IMBF170R450M1XTMA1InfineonIMBF170R1K0M1InfineonIMBG65R048M1HXTMA1InfineonIMBH60-120NOIGBT ModuleIMBF170R650M1XTMA1IMBF170R450M1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IMBH25-120NOIGBT ModuleIMBG65R083M1HXTMA1InfineonIMBH60-100Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleIMBH50-060Fujitsu Electronics America, Inc.IMBG120R045M1HInfineonIMBH25D-120Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleIMBG120R090M1HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IMBF170R650M1InfineonIMBG120R060M1HInfineonIMBF170R1K0M1XTMA1Infineon TechnologiesSICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7IMBH60-090Fujitsu Electronics America, Inc.| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.