مشخصات فناوری IDH08S120AKSA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - IDH08S120AKSA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IDH08S120AKSA1
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.8 V @ 7.5 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 1200 V | |
| تکنولوژی | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-2-2 | |
| سرعت | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسله | CoolSiC™+ | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 0 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | |
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 175°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 180 µA @ 1200 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 7.5A | |
| خازن @ VR، F | 380pF @ 1V, 1MHz | |
| شماره محصول پایه | IDH08S |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IDH08S120AKSA1 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IDH08S120AKSA1 | IDH08S120 | IDH08G65C6XKSA1 | IDH06SG60C D06G60C |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| تکنولوژی | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | - |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.8 V @ 7.5 A | 1.8 V @ 7.5 A | 1.35 V @ 8 A | - |
| شماره محصول پایه | IDH08S | - | IDH08G65 | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2 | PG-TO220-2 | - |
| سرعت | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - |
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | - |
| خازن @ VR، F | 380pF @ 1V, 1MHz | 380pF @ 1V, 1MHz | 401pF @ 1V, 1MHz | - |
| سلسله | CoolSiC™+ | - | - | - |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 180 µA @ 1200 V | 180 µA @ 1200 V | 27 µA @ 420 V | - |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Tube | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 7.5A | 7.5A | 20A | - |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 1200 V | 1200 V | 650 V | - |
بارگیری داده های IDH08S120AKSA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IDH08S120AKSA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IDH06SG60C D06G60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G120C5 D1012C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08SG60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08G65C6XKSA2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH08SG60CXKSA2InfineonIDH08S120Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A TO220IDH08G65C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH06SG60CXKSA2InfineonIDH10G120C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH09SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2IDH09SG60C 09G60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08G65C5XKSA2InfineonIDH08G120C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.