مشخصات فناوری BSO200N03S
مشخصات فنی Infineon Technologies - BSO200N03S ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - BSO200N03S
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 10µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-DSO-8 | |
| سلسله | OptiMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 20mOhm @ 8.8A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.56W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 840 pF @ 15 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6.5 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies BSO200N03S دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | BSO200N03S | BSO150N03MDG | BSO203SP | BSO130P03SHXUMA1 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 840 pF @ 15 V | - | 3750 pF @ 15 V | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 20mOhm @ 8.8A, 10V | - | 21mOhm @ 8.9A, 4.5V | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 10µA | - | 1.2V @ 50µA | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-DSO-8 | - | PG-DSO-8 | - |
| سلسله | OptiMOS™ | - | OptiMOS® | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | - | ±12V | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | - | Bulk | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | - | 20 V | - |
| نوع FET | N-Channel | - | P-Channel | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 6.5 nC @ 5 V | - | 39 nC @ 4.5 V | - |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.56W (Ta) | - | 1.6W (Ta) | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | - | 2.5V, 4.5V | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 7A (Ta) | - | 7A (Ta) | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | - | Surface Mount | - |
بارگیری داده های BSO200N03S PDF و مستندات Infineon Technologies را برای BSO200N03S - Infineon Technologies بارگیری کنید.
BSO130P03SHXUMA1InfineonBSO203SP HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO150N03MDGInfineon TechnologiesBSO150N03 - 12V-300V N-CHANNEL PBSO150N03MDGXUMA1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSOBSO150N03MDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
BSO200N3SINFIEONBSO200N03GCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO203SPInfineon TechnologiesP-CHANNEL POWER MOSFETBSO201SP HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO150N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200N03Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSOBSO200P03SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO130P03SHINFBSO200P03SHBSO204PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO201SPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200N3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO150N03Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.