مشخصات فناوری BSC520N15NS3GATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - BSC520N15NS3GATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - BSC520N15NS3GATMA1
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 35µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TDSON-8-5 | |
سلسله | OptiMOS™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 52mOhm @ 18A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 57W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | 8-PowerTDFN | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 890 pF @ 75 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 12 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 8V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 21A (Tc) | |
شماره محصول پایه | BSC520 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies BSC520N15NS3GATMA1 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | BSC520N15NS3GATMA1 | BSC440N10NS3GATMA1 | BSC670N25NSFD | BSC59N03S |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 890 pF @ 75 V | 810 pF @ 50 V | - | - |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
شماره محصول پایه | BSC520 | BSC440 | - | - |
بسته بندی / مورد | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | - | - |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 52mOhm @ 18A, 10V | 44mOhm @ 12A, 10V | - | - |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 8V, 10V | 6V, 10V | - | - |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 35µA | 3.5V @ 12µA | - | - |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 57W (Tc) | 29W (Tc) | - | - |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 12 nC @ 10 V | 10.8 nC @ 10 V | - | - |
FET ویژگی | - | - | - | - |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8-1 | - | - |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 21A (Tc) | 5.3A (Ta), 18A (Tc) | - | - |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | - | - |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
سلسله | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | - |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 150 V | 100 V | - | - |
بارگیری داده های BSC520N15NS3GATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای BSC520N15NS3GATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.