مشخصات فناوری BSC059N04LS6ATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - BSC059N04LS6ATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - BSC059N04LS6ATMA1
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.3V @ 250µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TDSON-8-6 | |
سلسله | OptiMOS™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5.9mOhm @ 50A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3W (Ta), 38W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | 8-PowerTDFN | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 830 pF @ 20 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9.4 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc) | |
شماره محصول پایه | BSC059 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies BSC059N04LS6ATMA1 دارند.
ویژگی محصول | ||||
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | BSC059N04LS6ATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 | BSC0588NSI MOS | BSC0600NS |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
بسته بندی / مورد | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | - | - |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 9.4 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V | - | - |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | - | - |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 5.9mOhm @ 50A, 10V | 5.9mOhm @ 50A, 10V | - | - |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | 40 V | - | - |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.3V @ 250µA | 2V @ 23µA | - | - |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 3W (Ta), 38W (Tc) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | - | - |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 830 pF @ 20 V | 3200 pF @ 20 V | - | - |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 17A (Ta), 49A (Tc), 59A (Tc) | 16A (Ta), 73A (Tc) | - | - |
سلسله | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | - |
FET ویژگی | - | - | - | - |
شماره محصول پایه | BSC059 | BSC059 | - | - |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TDSON-8-6 | PG-TDSON-8-5 | - | - |
بارگیری داده های BSC059N04LS6ATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای BSC059N04LS6ATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.