مشخصات فناوری AOP605
مشخصات فنی Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOP605 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Alpha & Omega Semiconductor Inc. - AOP605
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-PDIP | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 28mOhm @ 7.5A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 2.5W | |
| بسته بندی / مورد | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 820pF @ 15V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 16.6nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | - | |
| پیکر بندی | N and P-Channel | |
| شماره محصول پایه | AOP60 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOP605 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | AOP605 | SI3850ADV-T1-E3 | NTHD5903T1G | SI4511DY-T1-GE3 |
| سازنده | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Vishay Siliconix | onsemi | Vishay Siliconix |
| شماره محصول پایه | AOP60 | SI3850 | NTHD59 | SI4511 |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 3V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 600mV @ 250µA | 1.8V @ 250µA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 820pF @ 15V | - | - | - |
| قدرت - حداکثر | 2.5W | 1.08W | 1.1W | 1.1W |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 16.6nC @ 4.5V | 1.4nC @ 4.5V | 7.4nC @ 4.5V | 18nC @ 4.5V |
| بسته بندی / مورد | 8-DIP (0.300", 7.62mm) | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 8-SMD, Flat Lead | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 28mOhm @ 7.5A, 10V | 300mOhm @ 500mA, 4.5V | 155mOhm @ 2.2A, 4.5V | 14.5mOhm @ 9.6A, 10V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| پیکر بندی | N and P-Channel | N and P-Channel, Common Drain | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-PDIP | 6-TSOP | ChipFET™ | 8-SOIC |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | 20V | 20V | 20V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| سلسله | - | TrenchFET® | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | - | 1.4A, 960mA | 2.2A | 7.2A, 4.6A |
بارگیری داده های AOP605 PDF و مستندات Alpha & Omega Semiconductor Inc. را برای AOP605 - Alpha & Omega Semiconductor Inc. بارگیری کنید.
AOP608AOSSI3850ADV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 1.4A 6TSOPNTHD5903T1GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFETAOP600ALPHASI4511DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
STC5NF20VSTMicroelectronicsMOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOPAOP605 MOSAO
AOP610Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 30V 8DIP
TC6215TG-GMicrochip TechnologyMOSFET N/P-CH 150V 8SOICAOP607Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 60V 8DIPAOP611AOS
SI6925ADQ-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
NDS9952AonsemiMOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A 8SOIC
NVMFD5C466NLWFT1GonsemiMOSFET 2N-CH 40V 52A S08FLAOP600 MOSAOAOP802AOSAOP609Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 60V 8DIPAOP806AOS| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.